Le MOSFET se présente comme un composant à trois ports : Il est préférable d'utiliser un circuit de compensation à rétroaction négative pour contourner le problème de non-linéarité.Le JFET est une autre alternative et a une meilleur linéarité dans sa zone résistive, voir application note : http://www.vishay.com/docs/70598/70598.pdfIl existe aussi des VCR (voltage controlled resistor) sous forme de circuits intégrés.Avez-vous envisagez de réguler la puissance moyenne de sortie en modulant la largeur d'impulsion (MLI ou PWM) d'une onde carré à la grille.Par exemple au lieu de faire varier la tension de la grille de 3V à 5V, on fait varier le rapport cyclique (% du temps où le MOSFET est en conduction (Ton)) en appliquant une onde carré à la grille Exemple d'onde carré : Amplitude : ±15V , Fréquence 20kHz, Rapport cyclique : 50% ce qui donne : Ton=25us et Toff=25us. Les tensions sont mesurées par rapport à la source. Pas faux mais limité comme explication surtout entre deux references proches comme IRF2804S et IRF2804S-7,sachant que le "-7" est du au boitier D2Pak-7 à 7 broches...
avez vous une explication concernant la degradation des SOA des nouveaux mosfet à faible rdson.? On retrouve ce plateau Miller dans les caractéristiques de charge totale ("Qg" totale) nécessaire pour commuter le transistor :Plateau Miller : transition de l'état "on" à l'état "off"La capacité de sortie, notée Coss, d'un transistor MOSFET est la capacité mesurée entre drain et source, la grille étant connectée à la source.Cette capacité peut avoir un effet négatif sur les circuits (résonance entre inductance et capacité de sortie).Il s'agit de la capacité Cgd. Comment fait-ton pour calculer la valeur de la RG du mosfet dans un push-pull circuit SMPS. Le transistor est un composant électronique qui est utilisé dans la plupart des circuits électroniques (circuits logiques, amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal, etc.) L'un d'entre eux va entrer en mode avalanche avant les autres et devra encaisser la totalité de l'énergie à absorber. Ceci dit, RG se dimensionne la plus petite possible (10 Ohms par exemple) sauf cas particulier ou on souhaite allonger un temps de commutation pour réduire les fronts de tension et courant sur le mosfet. Il faut pouvoir augmenter le temps mort (dead time). J'ai réalisé un mini convertisseur12v to 2x30v pour amlpi auto avec le tl494 et les mosfets stp75nf75! Plus la commutation est rapide, plus petite est la perte (dissipation pendant la transition)Il est essentiel de dimensionner correctement le transistor MOSFET et d'optimiser la commande de sa grille pour minimiser ces pertes.Les transistors MOSFET de puissance sont très largement des transistors canal N (NMOS), même dans des structures symétriques d'alimentations à découpage et de commande de moteur (pont en H ou demi pont).Le choix des composants doit s'adapter aux composants existants. Adribe La capacité Cgd peut varier d'un facteur 100 avec la tension drain-grille.La capacité Cgd (grille-drain) est la plus critique. Comme l'exemple de l'inverseur le suggère, utiliser le MOSFET en « interrupteur » risque de laisser passer un courant.
Pour nous airsofteurs, un Mosfet a plusieurs utilités parmi lesquelles : - Prolonger la durée de vie de nos chères AEG en évitant les arcs électriques au contact du trigger et donc empêcher surchauffe et perte de cadence de tir. Notre modèle idéal de MOSFET souffre de quelques limitations. Ou pourrai_je t'envoyer le schéma? Linear J'avais d'ailleurs pensé à l'epoque que l'amelioration du Rdson (1.6mohm au lieu de 2 mohms) etait du à l'utilisation de ce type de boitier plutot qu'à un quelconque changement de technologie mentionné nulle part. En effet : merci beaucoup pour ce document qui repond exactement à mes questions ,voire meme un peu au delà. Azzeddine On peut exploiter le régime de saturation du NFET pour mettre au point un amplificateur rudimentaire. Cette courbe est appelée "Rds norm." Nina67 Dans ce cas, toute augmentation de courant se traduira par une élévation très importante de Vds, ce qui entrainera une perte de conduction (effet Joule) très élevée et une destruction possible du transistor MOSFET.Ce transistor est donné pour 20.7A continus à Tc = 25°C. Hosea mahungira josias Cette résistance est notée D'un transistor à l'autre, le Rdson peut varier énormément, du milliohm pour les plus gros transistors de puissance à plusieurs centaines d'Ohms pour les plus petits qui ne commutent que quelques milliampères.Pour calculer la puissance dissipée P du transistor de puissance lorsqu'il est à l'état passant, il suffit de faire comme pour une simple résistance :Rdson : résistance à l'état passant (voir documentation du fabricant)Exemple : on souhaite réaliser un ampli classe D de 200W. Il faut être vigilant si les transistors de puissance peuvent être amenés à chauffer.
Pourquoi ? Je ne peux donc pas utiliser ces mosfet autrement qu'en hacheur sous peine de mort.
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a quoi sert un mosfet